日立製作所 半導体グループ(グループ長＆CEO 石橋 正)は、このたび、パソコンやワークステーション、サ
ーバ等のメインメモリ、拡張メモリ向けに、512MビットシンクロナスDRAM(以下、SDRAM)「HM5251165BTDシ
リーズ(×16ビット構成)」、「HM5251805BTDシリーズ(×8ビット構成)」、「HM5251405 BTDシリーズ(×4ビッ
ト構成)」を業界で初めて製品化し、平成11年10月からサンプル出荷を開始します。  
　本製品は、256MビットSDRAM 2チップを、当社独自の積層技術によって一括モールドし、256Mビット
SDRAMと同一の54ピン400ミル(注)TSOP-IIパッケージに収めることで、大容量化を実現しています。
     
　近年、パソコンやワークステーションなどの情報機器において、システムの高性能化等が進み、メモリの
搭載容量も増大しています。一方で、システムの小型化が進み、メモリの実装スペースを縮小する必要に迫
られているため、SDRAM単体もさらなる大容量化が求められています。
  当社では、大容量メモリを実現する手段として、2つのメモリチップを積み重ねて1つのパッケージに収め
る積層技術を開発し、すでに64MビットSDRAM 2チップを用いた128MビットSDRAMを量産しています。そして
今回、同技術を用い、業界で初めて256MビットSDRAMを2つ積層した512MビットSDRAMを製品化しました。
     
　本製品は、ピン配置も256MビットSDRAMの上位互換となっており、54ピン400ミルTSOP-IIパッケージと同
一実装スペースで、2倍のメモリ容量を実現しました。また、100MHzメモリバス(PC100)に対応しています。
     
　今後は、133MHzメモリバス(PC133)対応品を製品化する予定です。
     
注)ミル(mil)：100ミルは2.54mm
     
■応用製品例
  パソコンやワークステーション、サーバのメインメモリ、拡張メモリ
     
■ 価　格
        製 品 名                 構  成       CASレイテンシ サンプル価格
                                                                (円)
     HM5251165BTD-A6   8Mワード×16ビット×4バンク   CL=2      60,000
     HM5251165BTD-B6   8Mワード×16ビット×4バンク   CL=3      58,000
     HM5251805BTD-A6  16Mワード× 8ビット×4バンク   CL=2      60,000
     HM5251805BTD-B6  16Mワード× 8ビット×4バンク   CL=3      58,000
     HM5251405BTD-A6  32Mワード× 4ビット×4バンク   CL=2      60,000
     HM5251405BTD-B6  32Mワード× 4ビット×4バンク   CL=3      58,000
     
     
     
                                                    以  上