日立製作所は、このたび、ハイエンドパソコンやワークステーション(WS)、サーバー等のメインメモリ、
画像、キャッシュ用途として、1ピン当り266Mbps(注1)の高速データ転送レートを実現した、DDR(Double 
Data Rate)方式の64MビットシンクロナスDRAM(DDR SDRAM)「HM5464401DTTシリーズ(×4ビット構成)」、
「HM5464801DTTシリーズ(×8ビット構成)」、「HM5464161DTTシリーズ(×16ビット構成)」を製品化し、平
成10年11月からサンプル出荷を開始します。本製品は、外部クロックの立ち上がり、立ち下がりに同期
させてデータの入出力を行うDDR方式を採用することで、1ピン当り266Mbps(133MHzクロック周波数時)
と通常のSDRAMの2倍のデータ転送レートを実現しました。
　パッケージは、JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)標準の66ピン400ミル(注2)TSOP-II
パッケージを採用しています。

　近年、パソコン、WSなど情報機器のシステムの高速化、CPUの高性能化が進んでおり、メインメモリや
画像、キャッシュ用途として使用されるDRAMに対しても、大量のデータを高速に処理するために、データ
転送レートの向上が望まれています。そこで、今回、当社では次世代を狙った高速DRAMとして、64Mビッ
トDDR SDRAMを製品化しました。

  今回製品化した3シリーズは、「HM5464401DTTシリーズ」が×4ビット構成、「HM5464801DTTシリーズ」が
×8ビット構成、「HM5464161DTTシリーズ」が×16ビット構成で、0.25μmプロセスを採用しています。
  また、DDR方式の採用により、データの入出力についてはクロックの立ち上がり、立ち下がりの両エッジ
に同期し、クロックの2倍の周波数でデータ転送が可能です。
  3シリーズとも動作周波数が83MHz、100MHz、125MHz、133MHzに対応しており、データ転送レートは動作
周波数の2倍の166Mbps/ピン、200Mbps/ピン、250Mbps/ピン、266Mbps/ピンを実現しています。
  なお、高速動作を実現するために、インタフェースにはSSTL-2(注3)を採用し、さらに高速かつ低消費電
力化を図るため、電源電圧2.5Vを使用しています。

　今後は、さらにDDR DRAMの高速化、大容量化を進めていきます。

(注1) bps：bit per second。1秒間に通信できるビット数を表わす。
(注2)ミル(mil)：100ミルは2.54mm。
(注3) SSTL：Stub Series Terminated Logic

＜応用製品例＞
・ハイエンドワークステーション/サーバー用のメインメモリ、拡張用メモリ
・ハイエンドパソコンのボード上実装メモリ
・画像処理等用バッファメモリ
・高速DRAMキャッシュメモリ

＜価　格＞

＜仕　様＞

                                                                         以  上