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2001年7月9日
 
業界最小の128Mビット、256MビットフラッシュメモリCSP版を製品化
-- 第3世代携帯電話等の組込み用に、
当社TSOPパッケージの半分以下に実装面積を削減すると共に、開発環境も整備 --
AND型フラッシュメモリ
左: 128Mビット

中: 256Mビット

右: CSP裏面

  日立製作所 半導体グループ(グループ長&CEO 長谷川 邦夫)は、このたび、第3世代携帯電話やPDA、デジタルカメラ等、携帯機器の組込み用に、小型のCSPパッケージを採用した128MビットAND型フラッシュメモリ「HN29W12811BP-60」、および256Mビットの「HN29V25611ABP-50」を製品化しました。
128Mビット品は2001年7月より、256Mビット品は同年8月よりサンプル出荷を開始します。
  本2製品は、当社TSOPの約43%に実装面積を削減すると共に、本製品を組込むシステムの設計を容易にするための開発レファレンスキットを整備しています。このため、大容量フラッシュメモリを搭載したシステムの小型化・早期開発が可能です。

<背景>
  近年、携帯電話は多機能化、電子メールやWWWコンテンツなどを扱う情報量の増加に伴い、搭載するメモリ容量も増大しています。特に、W-CDMA方式、cdma2000方式等の第3世代携帯電話では、データストレージ用に128Mビット以上のフラッシュメモリが必要になると考えられます。
当社では、既にTSOPパッケージの128Mビット、256MビットAND型フラッシュメモリを量産中ですが、今回、小型・軽量を要求される携帯電話やPDA、デジタルカメラ等の機器組込み用にCSPパッケージを採用した業界最小サイズの128Mビット、256Mビットフラッシュメモリを製品化しました。

<製品について>
  本256MビットAND型フラッシュメモリ「HN29V25611ABP-50」は、0.18μmプロセスの採用により、小チップサイズを実現、パッケージサイズ11.26mm×9.22mmの72ピンCSPに封止したことで、当社TSOPパッケージの約43%の実装面積に小型化しています。
  また、電源電圧2.7〜3.6Vのため、システムの低消費電力化も図れます。
  128MビットAND型フラッシュメモリ「HN29W12811BP-60」は0.25μmプロセス採用の電源電圧3.0〜3.6V品で、パッケージは上記の256Mビット品同様、72ピンCSPを採用しています。

<開発環境について>
  本2製品を組込んだシステムの開発を容易にするために、「ANDフラッシュメモリ開発レファレンスキット」を整備しています。PCによるシミュレーションが行なえるため、設計段階での機器の性能評価が可能です。
また、AND型フラッシュメモリの動作管理等は、専用にコントローラを付けるなど、ハードウェアで行なっていましたが、小型機器への組込みのために、ソフトウェアでの管理を実現しました。ソフトウェアはマイコンを特定せず、C言語のソースコードで提供しています。
http://www.hitachi.co.jp/Sicd/Japanese/Products/memory.htm
  製品区分「ROM」の「フラッシュメモリ」参照


■応用製品例
●W-CDMA方式、cdma2000方式等の第3世代携帯電話
●ハンドヘルドPC、パームサイズPC、PDA、電子手帳等の携帯情報機器
●スマートフォン、ページャ等の携帯通信機器
●MP3プレーヤ、ICレコーダ等の固体録音・再生機器
●デジタルビデオカメラ、デジタルスチルカメラ等

■価格


■仕様

以 上




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