マイコンは、私たちの生活を支える家電品、情報機器あるいは自動車の頭脳として、これらの機器の制御に広く用いられています。通常、マイコンは複数の半導体から構成され、機器の制御用プログラムの記録には、書き換えが可能で長時間記憶を保持できるフラッシュメモリが用いられています。近年、より大規模で高度なプログラムを記録できるよう、フラッシュメモリの大容量化が求められていますが、フラッシュメモリは、大容量化すると制御用の回路面積が大きくなるという課題がありました。加えて、情報の書き換えには十数ボルトの高い電圧が必要なため、低電圧動作のマイコンを実現する際のネックとなっており、低電圧動作と、高集積化を同時に実現するフラッシュメモリが望まれていました。

  日立中央研究所では、今回、従来のフラッシュメモリセルの構造を抜本的に見直し、高集積化と低電圧化を同時に実現する、マイコン向けオンチップフラッシュメモリセルを新たに開発しました。技術の特徴は次の通りです。

  今回開発したフラッシュメモリセルにより、チップ面積を変えずにマイコン向けオンチップフラッシュメモリの大容量化が可能になります。同時に、1.5Ｖという低電圧動作を実現したことで、今後のマイコンの低消費電力化をさらに加速させる技術として期待がかかります。

  なお、本技術は、9月16日から東京で開催される固体素子に関する国際会議「2003 International Conference on Solid State Devices and Materials」にて発表されます。